Основные показатели, характеризующие работу усилительного каскада с общим эмиттером, можно получить, решая уравнения, составленные для цепей входа и выхода, как это было сделано для схемы с общей базой. Однако проще воспользоваться готовыми выражениями для Ki, Ku, Kp, Rвх и Rвых, учитывающими характеристические параметры четырехполюсника (полученными в предыдущем параграфе).
Коэффициент усиления по току равен
Но так как в схеме с общим эмиттером r21 = rэ — rг, а r22 = rэ + rк — rг, то
Если воспользоваться формулами перехода от одной системы параметров к другой, приведенными в гл. X, то легко получить выражение, определяющее коэффициент усиления по току Ki для схемы с общим эмиттером, через h-параметры:
(314)
Величина Ki в схеме с общим эмиттером равна примерно 10 и всегда отрицательна, так как r21 отрицательно, а r22 всегда положительно. Отрицательный коэффициент усиления по току показывает, что ток на выходе усилительного каскада повернут по фазе относительно входного тока на 180°.
Коэффициент усиления по напряжению равен
Подставив вместо r11, r12, r21 и r22 их значения для схемы с общим эмиттером, получим
(315)
а при использовании системы h-параметров
Так как
то в системе h-параметров
(316)
Коэффициент усиления по напряжению схемы каскада с общим эмиттером также всегда отрицателен и может доходить до двух тысяч и более.
Коэффициент усиления по мощности Кр= Ki·Ku, являющийся произведением отрицательных коэффициентов усиления по току и по напряжению, следовательно, всегда положителен.
Для определения величины Кp можно пользоваться формулами, приведенными при анализе схемы с общей базой. При использовании плоскостных триодов Кh достигает нескольких тысяч.
Входное сопротивление каскада в общем виде равно
Для схемы с общим эмиттером имеем
(317)
а в системе h-параметров
(318)
Входное сопротивление плоскостных транзисторов всегда положительно и, в зависимости от сопротивления нагрузки, может изменяться от нескольких сотен ом до нескольких килоом.
Выходное сопротивление определяется выражением
Для рассматриваемой схемы соответственно
(319)
а в системе h-параметров
(320)
Выходное сопротивление схемы, выполненной на плоскостном транзисторе, всегда положительно и имеет величину порядка нескольких десятков килоом.
Схема с общим эмиттером имеет низкое входное сопротивление, но большее, чем у схемы с общей базой. Выходное сопротивление велико (десятки килоом), но ниже, чем у схемы с общей базой. Схема с общим эмиттером обладает наибольшим усилением по напряжению (до 70 дб) и большим усилением по мощности (≈40÷60 дб). Коэффициент усиления по току ≈15÷20 дб.
